STU11NM60ND

STU11NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id）额定值，结合低至450毫欧的导通电阻（Rds(on)），确保了在高压开关应用中具备出色的功率处理能力和低传导损耗。

此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为30nC，这显著降低了开关损耗，有利于提升系统整体效率并简化驱动设计。器件采用I-PAK通孔封装，提供良好的散热路径，最大结温为150°C，适用于对可靠性和热管理有较高要求的工业级电源与电机控制应用场景。

• 型号:STU11NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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