STPSC6H065DI技术参数详情：
STPSC6H065DI是意法半导体推出的一款650V/6A碳化硅肖特基二极管，采用TO-220AC绝缘封装。该器件利用碳化硅材料的宽禁带特性，实现了极低的正向压降（1.75V @ 6A）与反向漏电流（60A @ 650V），有效优化了导通与阻断损耗。
其核心价值在于卓越的动态性能。与传统硅二极管不同，它具备近乎为零的反向恢复电荷，开关过程表现为快速的电容性行为，从根本上消除了反向恢复电流带来的开关损耗和噪声。这一特性使其成为高频、高效率功率转换应用的理想选择，能够显著提升系统效率、功率密度并简化电路设计。
- 型号:STPSC6H065DI
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220AC ins
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- 描述:DIODE SIC 650V 6A TO220AC INS
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
- 电流 - 平均整流 (Io):6A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 6 A
- 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr):-
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60 A @ 650 V
- 不同Vr、F 时电容:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-2 绝缘，TO-220AC
- 供应商器件封装:TO-220AC ins
- 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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