STPSC8H065D

STPSC8H065D是意法半导体基于碳化硅技术制造的一款650V、8A肖特基势垒二极管。该器件采用TO-220AC封装，其核心价值在于利用碳化硅材料的物理特性，实现了传统硅器件难以企及的性能突破。

其关键参数揭示了显著优势：高达650V的反向耐压和8A的连续正向电流能力确保了功率处理等级；在8A电流下仅1.75V的典型正向压降优化了导通损耗；而0ns的反向恢复时间是其最突出的技术亮点，彻底消除了开关过程中的反向恢复损耗与相关噪声，为提升开关频率和系统效率奠定了坚实基础。这些特性使其成为高效率、高功率密度电源设计的理想选择。

• 型号:STPSC8H065D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220AC
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
• 电流 - 平均整流 (Io):8A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 8 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:80 A @ 650 V
• 不同Vr、F 时电容:414pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-2
• 供应商器件封装:TO-220AC
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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