STU70N2LH5技术参数详情：
STU70N2LH5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET V产品系列。该器件采用I-PAK通孔封装，核心优势在于其极低的导通电阻（7.5mΩ @ 10V, 24A）与低栅极电荷（8nC @ 5V）的出色组合，这使其能够在高达48A的连续电流下实现极低的传导损耗和快速的开关速度。
其25V的漏源电压（Vdss）额定值以及宽泛的-55°C至175°C工作结温范围，确保了在低压高电流应用中的稳定性和可靠性。该MOSFET兼容5V和10V栅极驱动，便于设计，主要面向高效率DC-DC转换、电机驱动和电源管理等高要求功率开关场景。
- 制造商产品型号：STU70N2LH5
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 25V 48A IPAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：STripFET V
- 零件状态：停产
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：25V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：48A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.5 毫欧 @ 24A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：8nC @ 5V
- Vgs（最大值）：±22V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1300pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：60W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：I-PAK
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