STPSC8H065DLF技术参数详情：
STPSC8H065DLF是ST意法半导体基于碳化硅技术开发的8A、650V肖特基二极管，采用先进的PowerFlat HV表面贴装封装。其核心价值在于实现了零反向恢复时间（trr=0ns），这从根本上消除了开关损耗和相关的噪声，为高效率、高频率的功率转换设计提供了关键优势。
该器件在8A额定电流下的正向压降仅为1.55V，确保了较低的导通损耗。同时，其高达650V的反向耐压和极低的反向漏电流（80A @ 650V）提供了可靠的阻断性能。这些特性使其成为功率因数校正、太阳能逆变器、UPS及车载充电器等高压、高效应用中的理想选择。
- 型号:STPSC8H065DLF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（8x8）HV
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- 描述:DIODE SIC 650V 8A POWERFLAT HV
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
- 电流 - 平均整流 (Io):8A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.55 V @ 8 A
- 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr):0 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:80 A @ 650 V
- 不同Vr、F 时电容:460pF @ 0V，1MHz
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:-
- 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
- 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
- 现在可以订购STPSC8H065DLF，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
