STPSC8TH13TI技术参数详情：
STPSC8TH13TI是意法半导体基于碳化硅技术制造的肖特基二极管阵列，采用TO-220-3封装。该器件核心优势在于其碳化硅肖特基结构带来的卓越开关性能，具备650V反向耐压和8A的平均整流电流能力。
其最显著的技术卖点是实现了零反向恢复时间（0 ns），彻底消除了开关过程中的反向恢复损耗和电流尖峰。配合1.75V @ 8A的低正向压降、高达175°C的结温工作能力以及极低的反向漏电流，该器件专为提升高频、高效率功率转换系统的性能而设计。
- 型号:STPSC8TH13TI
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220AB 绝缘
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
- 描述:DIODE ARRAY SIC 650V 8A TO220AB
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 二极管配置:1 对串行连接
- 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
- 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:8A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 8 A
- 速度:无恢复时间 \> 500mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr):0 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:80 A @ 650 V
- 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220AB 绝缘
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