STQ1NK80ZR-AP技术参数详情：
STQ1NK80ZR-AP是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道MOSFET，采用TO-92-3通孔封装。其核心优势在于高达800V的漏源电压（Vdss）与低至7.7nC的栅极电荷（Qg），在高压应用中实现了开关效率与可靠性的良好结合。
该器件在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值为16欧姆@500mA，有助于减少导通损耗。其300mA的连续漏极电流（Tc）和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ），使其能够适应苛刻的环境要求。这些特性使其成为离线电源、照明电子和工业控制等高压、中小功率开关应用的理想选择。
- 型号:STQ1NK80ZR-AP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-92-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3
- 包装:剪切带（CT）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300mA（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 欧姆 @ 500mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.7 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:160 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:3W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-92-3
- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
- 现在可以订购STQ1NK80ZR-AP，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
