STP6NM60N技术参数详情：
STP6NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和4.6A的连续漏极电流（Id），为高压中等电流应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于实现了导通电阻与动态参数的良好平衡。在10V驱动电压下，其导通电阻（RDS(on)）具有较低典型值，有助于降低导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关特性，有利于提升系统效率并降低开关噪声。这些特性使其成为开关电源、照明控制和电机驱动等应用中高效的功率开关解决方案。
- 型号:STP6NM60N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 4.6A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.6A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:920 毫欧 @ 2.3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:420 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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