STQ2N62K3-AP技术参数详情：
STQ2N62K3-AP是ST意法半导体推出的一款N沟道MOSFET，采用TO-92通孔封装。其核心电气规格包括620V的漏源电压（Vdss）和2.2A的连续漏极电流（Id），定位为一款适用于高压环境的中低功率开关器件。
该器件的主要卖点在于其高耐压能力，能够满足离线式电源等应用对高压母线的要求。其2.2A的电流处理能力与经典的TO-92封装相结合，为小功率开关电源、驱动电路等应用提供了一个可靠且易于使用的解决方案。设计人员可将其用于需要高效功率切换的各类电子系统中。
- 型号:STQ2N62K3-AP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-92
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 620V 2.2A TO92
- 系列:-
- 包装:带盒（TB）
- 产品状态:停产
- FET 类型:-
- 技术:-
- 漏源电压（Vdss）:-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.2A
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- Vgs（最大值）:-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:-
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-92
- 封装/外壳:-
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