STS10P4LLF6

STS10P4LLF6是ST意法半导体推出的一款采用STripFET F6技术的P沟道功率MOSFET。该器件在40V漏源电压（Vdss）和10A连续漏极电流（Id）的规格下，提供了优异的电气性能，其核心卖点在于极低的功率损耗。

其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs下最大值仅为15毫欧，结合低至34nC的栅极电荷（Qg），显著降低了导通与开关损耗，提升了系统整体效率。器件采用8-SO表面贴装封装，支持高达150°C的结温工作，适用于空间受限且对热管理有要求的应用场景。

• 型号:STS10P4LLF6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 10A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3525 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• 现在可以订购STS10P4LLF6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。