STFI10N65K3

STFI10N65K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH3产品系列。该器件核心参数包括650V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id），能够在高压、大电流的功率开关应用中稳定工作。

其关键技术优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动下典型值仅为1欧姆，这直接转化为更低的导通损耗和更高的工作效率。同时，42nC的低栅极电荷和优化的动态特性，确保了快速的开关响应，有助于减少开关损耗并支持更高频率的电源设计。器件采用坚固的I2PAKFP通孔封装，提供良好的热性能，适用于对可靠性和效率有严格要求的工业与消费类电源解决方案。

• 型号:STFI10N65K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1180 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• 现在可以订购STFI10N65K3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。