STS13N3LLH5技术参数详情：
STS13N3LLH5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET V产品系列。该器件采用表面贴装8-SO封装，核心优势在于其优异的电气参数平衡。
其额定漏源电压为30V，在25°C壳温下可连续通过13A电流。最关键的特性是其极低的导通损耗，在10V Vgs、6.5A Id条件下，Rds(on)典型值仅为6.6毫欧。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值低至12nC @ 4.5V，确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗。这些参数共同使其成为高效率、高功率密度低压开关电源和电机驱动应用的理想选择。
- 型号:STS13N3LLH5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.6 毫欧 @ 6.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:+22V，-20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2.7W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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