STS1DN45K3技术参数详情：
STS1DN45K3是ST意法半导体推出的一款采用SuperMESH3技术的双N沟道功率MOSFET阵列，集成于8-SOIC封装内。该器件专为高压、小电流的开关应用而优化，其核心优势在于高达450V的漏源电压（Vdss）与低至3.8欧姆的导通电阻（RDS(on)）的良好结合，同时具备极低的栅极电荷（6nC max）和输入电容（150pF max），有助于实现高效率与快速开关。
其额定连续漏极电流为500mA，最高工作结温为150°C，采用表面贴装形式，适用于空间受限的设计。该芯片为需要双路高压开关或对称开关对的应用提供了高集成度的解决方案，但需注意其目前已处于停产状态。
- 型号:STS1DN45K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SOIC
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:450V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 欧姆 @ 500mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:150pF @ 25V
- 功率 - 最大值:1.3W
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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