STF14NM65N技术参数详情：
STF14NM65N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP通孔封装，隶属于其高性能MDmesh II系列。该器件核心卖点在于其650V的高漏源击穿电压与较低的导通电阻的出色结合，这得益于其先进的网格状漏极结构，能有效降低传导损耗，提升电源转换效率。
其技术参数针对高效开关应用进行了优化，在10V栅极驱动下具备良好的开关特性。器件支持高达12A的连续漏极电流（Tc）和150°C的最大结温，确保了在严苛环境下的稳定运行与功率处理能力。这些特性使其成为中高功率离线式开关电源、工业电机驱动及照明系统等应用中理想的功率开关解决方案。
- 型号:STF14NM65N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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