STS1DNC45技术参数详情：
STS1DNC45是ST意法半导体推出的一款采用SuperMESH技术的双N沟道功率MOSFET阵列，封装于8-SOIC。该器件核心优势在于其450V的高耐压能力与优异的开关性能的平衡。其导通电阻低至4.5欧姆（@10V，500mA），有助于降低导通损耗；同时，极低的栅极电荷（10nC @10V）和输入电容（160pF @25V）确保了快速的开关速度和低驱动损耗。
每个通道可提供400mA的连续漏极电流，最大功耗1.6W，工作结温高达150°C，保证了在苛刻环境下的稳定运行。这些特性使其成为小功率高压开关应用的理想选择，例如辅助电源、照明控制和工业接口电路，能够有效提升系统效率和功率密度。
- 型号:STS1DNC45
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:最后售卖
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:450V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 500mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.7V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:160pF @ 25V
- 功率 - 最大值:1.6W
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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