STS26N3LLH6

STS26N3LLH6是ST意法半导体推出的一款采用STripFET VI与DeepGATE技术的N沟道功率MOSFET。该器件在30V的漏源电压（V_DSS）规格下，提供了高达26A（Tc）的连续电流处理能力，并实现了极低的导通电阻，典型值低至4.4毫欧（@13A, 10V），旨在最大限度地降低传导损耗。

其设计兼顾了开关性能，具有较低的栅极电荷（40nC @4.5V）和适中的输入电容，有利于实现高效率的高频开关操作。器件采用8-SO表面贴装封装，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于需要高功率密度和可靠性的紧凑型电源转换与电机控制解决方案。

• 型号:STS26N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 26A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.4 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4040 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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