STS4DNF60技术参数详情：
STS4DNF60是ST意法半导体推出的一款采用STripFET技术的双N沟道逻辑电平功率MOSFET阵列，封装于8-SOIC。该器件在60V漏源电压下可连续通过4A电流，其核心优势在于极低的导通电阻（典型90mΩ @ 10V, 2A），能有效降低导通损耗，提升能效。
作为逻辑电平门器件，其栅极驱动门槛低，可直接由标准微控制器IO口驱动，简化了电路设计。同时，其具备较低的栅极电荷和输入电容，确保了快速的开关速度，适用于高频开关场景。该芯片工作结温范围宽达-55°C至150°C，2W的功耗处理能力与表面贴装形式，使其成为空间受限的中低功率开关应用的可靠选择。
- 型号:STS4DNF60
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）:60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:315pF @ 25V
- 功率 - 最大值:2W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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