IRF740技术参数详情：
IRF740是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心规格包括400V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id），能够胜任中高压、中等电流的功率开关任务。
该器件隶属于PowerMESH II系列，其技术亮点在于实现了较低的导通电阻与开关损耗的平衡。在10V栅极驱动下，其导通电阻表现优异，有助于降低导通状态下的功率损失。宽泛的工作结温范围（-65°C至150°C）确保了其在各种环境条件下的稳定性和可靠性。
- 型号:IRF740
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:400 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 5.3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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