STS5DNF60L技术参数详情：
STS5DNF60L是ST意法半导体推出的符合AEC-Q101标准的汽车级、双N沟道功率MOSFET，采用STripFET II技术和8-SOIC封装。该器件集成了两个逻辑电平门控的MOSFET通道，漏源电压60V，连续漏极电流5A，为设计提供了高集成度和可靠性。
其核心优势在于优异的开关性能与低损耗特性。最大导通电阻低至45毫欧（@10V，2A），配合仅15nC（@4.5V）的低栅极电荷和2.5V的最大栅极阈值电压，确保了在微控制器直接驱动下实现高效率的功率切换与快速动态响应。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应苛刻的汽车与工业环境。
- 型号:STS5DNF60L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOIC
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）:60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1030pF @ 25V
- 功率 - 最大值:2W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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