STB30NF20L技术参数详情：
STB30NF20L是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用D2PAK表面贴装封装。作为Automotive, AEC-Q101认证的STripFET系列成员，它专为高可靠性应用设计，核心电气参数包括200V的漏源电压（Vdss）和30A的连续漏极电流（Id）。
该器件的关键优势在于其优异的导通特性，在5V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至75毫欧（@15A），同时栅极电荷（Qg）仅为65nC（@10V），这实现了低传导损耗与高效率开关的平衡。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，功率耗散能力为150W，确保了在严苛环境下的稳定运行。
- 型号:STB30NF20L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N CH 200V 30A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 15A，5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1990 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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