STS5DPF20L技术参数详情：
STS5DPF20L是ST意法半导体推出的一款采用8-SOIC封装的表面贴装型双P沟道功率MOSFET阵列，隶属于STripFET II产品系列。该器件集成了两个逻辑电平门驱动的P沟道MOSFET，其栅极阈值电压最大为2.5V，可直接由低压微控制器驱动，简化了电路设计。
其核心电气参数包括20V的漏源电压(Vdss)和5A的连续漏极电流(Id)处理能力。关键性能优势体现在低导通电阻（典型55mΩ @ 2.5A, 10V）和低栅极电荷（最大16nC @ 5V），这共同确保了较低的导通损耗和高效的开关性能，适用于对能效和空间有要求的应用。器件最高结温为150°C，最大功耗1.6W。
- 型号:STS5DPF20L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A 8SOIC
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 个 P 沟道（双）
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）:20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16nC @ 5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1350pF @ 16V
- 功率 - 最大值:1.6W
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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