STS5N15F4技术参数详情：
STS5N15F4是ST意法半导体基于STripFET技术制造的一款N沟道功率MOSFET，采用8-SO表面贴装封装。该器件核心优势在于其150V的漏源电压和5A的连续漏极电流能力，同时实现了低至63毫欧的导通电阻，有效优化了导通损耗。
其动态性能同样突出，栅极电荷低至48nC，有助于实现高速开关并降低驱动损耗，提升整体转换效率。宽广的-55°C至150°C工作结温范围确保了其在各种环境下的可靠性，使其成为开关电源、电机控制和功率转换等应用的优选解决方案。
- 型号:STS5N15F4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 150V 5A 8SO
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:最后售卖
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:150 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:63 毫欧 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:48 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2710 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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