STGW80H65FB技术参数详情：
STGW80H65FB是ST意法半导体推出的一款高性能沟槽型场截止IGBT。该器件额定电压为650V，连续集电极电流达120A，并具备240A的脉冲电流能力，为高功率应用提供了坚实的电流处理基础。
其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡，在80A电流下最大导通压降仅为2V，同时开关能量较低（Eon 2.1mJ， Eoff 1.5mJ），这有助于同时降低导通与开关损耗，提升系统整体效率。采用TO-247封装，最大功耗469W，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的高可靠性与稳定性。
- 型号:STGW80H65FB
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A
- 功率 - 最大值:469 W
- 开关能量:2.1mJ（导通），1.5mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:414 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns
- 测试条件:400V，80A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247-3
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