STS5NF60L

STS5NF60L是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用8-SO表面贴装封装，核心参数包括60V的漏源电压（Vdss）和5A的连续漏极电流（Id），提供了稳健的功率处理基础。

其技术优势突出体现在低损耗特性上：在10V Vgs下导通电阻（Rds(on)）低至55毫欧（@2.5A），同时栅极电荷（Qg）最大值仅为17nC。这些参数共同确保了器件在开关应用中兼具低传导损耗和快速开关速度，有助于提升系统整体能效和功率密度，适用于对效率和空间有要求的各类电源转换与电机控制应用。

• 型号:STS5NF60L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 5A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• 现在可以订购STS5NF60L，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。