STS5P3LLH6技术参数详情：
STS5P3LLH6是ST意法半导体生产的一款P沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET H6技术和DeepGATE工艺制造。该器件在30V的漏源电压下，可提供5A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻（56毫欧 @ 10V）和极低的栅极电荷（6nC @ 4.5V），这共同实现了高效率与低功耗的出色平衡。
器件采用8-SO表面贴装封装，最大结温高达150°C，确保了在紧凑空间内的高可靠性运行。其2.5V的栅极阈值电压使其易于被标准逻辑电平驱动，简化了系统设计。这些特性使其成为负载开关、DC-DC转换及电池管理等高要求应用的理想功率开关解决方案。
- 型号:STS5P3LLH6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 30V 5A 8SO
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:最后售卖
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:56 毫欧 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:639 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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