STAC3932F技术参数详情：
STAC3932F是ST意法半导体推出的一款大功率射频N沟道MOSFET，专为高频、高功率放大应用而设计。该器件在123MHz频率下可提供高达580W的射频输出功率，并具备24.6dB的优异功率增益，能够高效驱动严苛的负载。
其核心优势在于250V的高额定工作电压和20A的额定电流能力，确保了在高压大电流工况下的稳定性和可靠性。采用STAC244F封装，兼顾了射频性能与散热需求，适用于需要持续高功率输出的专业射频系统。
- 型号:STAC3932F
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:STAC244F
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET 100V STAC244F
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:N 通道
- 频率:123MHz
- 增益:24.6dB
- 电压 - 测试:100 V
- 额定电流（安培）:20A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:250 mA
- 功率 - 输出:580W
- 电压 - 额定:250 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:STAC244F
- 供应商器件封装:STAC244F
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