STS5PF30L技术参数详情：
STS5PF30L是ST意法半导体推出的一款采用STripFET技术的P沟道功率MOSFET，采用8-SO表面贴装封装。该器件核心参数包括30V的漏源电压（Vdss）与5A的连续漏极电流（Id），能够满足多数低压、中电流应用的需求。
其关键电气特性表现为优异的导通效率与开关性能。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至55毫欧（@2.5A），有助于最小化导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值16nC @5V）和适中的栅极阈值电压确保了快速的开关切换和简化的驱动设计，有利于提升整体系统的能效与响应速度。
- 型号:STS5PF30L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 30V 5A 8SO
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1350 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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