STS8DN3LLH5

STS8DN3LLH5是ST意法半导体推出的一款采用STripFET V技术的双N沟道逻辑电平功率MOSFET阵列。该器件采用8-SOIC表面贴装封装，集成了两个独立的MOSFET通道，每个通道额定值为30V漏源电压和10A连续漏极电流，为空间受限的设计提供了高集成度解决方案。

其核心优势在于优异的导通与开关性能。在10V栅极驱动下，导通电阻低至19毫欧（@5A），能有效降低导通损耗。作为逻辑电平器件，其最大栅极阈值电压为1V，可直接由低压微控制器驱动。同时，极低的栅极电荷（5.4nC @4.5V）确保了快速的开关速度，适合高频应用。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在各种环境下的稳定运行。

• 型号:STS8DN3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.4nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:724pF @ 25V
• 功率 - 最大值:2.7W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 现在可以订购STS8DN3LLH5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。