STS8DN6LF6AG技术参数详情：
STS8DN6LF6AG是意法半导体（STMicroelectronics）Automotive级STripFET F6系列中的一款双N沟道功率MOSFET阵列。该器件采用8-SOIC封装，集成了两个独立的N沟道MOSFET，每个通道具备60V的漏源电压（Vdss）和8A的连续漏极电流（Id）能力，并通过了AEC-Q101认证，满足汽车应用的严苛可靠性要求。
其核心优势在于优异的开关性能与驱动便利性。器件具备逻辑电平门驱动特性，栅极阈值电压最大仅2.5V，可直接由低压微控制器驱动。同时，其导通电阻（RDS(on)）在10V Vgs下低至24毫欧（@4A），结合仅27nC的栅极电荷（Qg），有效降低了导通与开关损耗，提升了系统能效和开关频率潜力。
这些特性使其非常适合于空间紧凑、要求高效率和高可靠性的应用，如汽车领域的电机驱动、LED照明、泵控制，以及工业领域的DC-DC转换、电源开关和电池管理系统。
- 型号:STS8DN6LF6AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SO
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:最后售卖
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）:60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1340pF @ 25V
- 功率 - 最大值:3.2W
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SO
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