STW88N65M5

STW88N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能MDmesh V产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心优势在于其650V的漏源电压（Vdss）与极低的导通电阻（29mΩ @ 42A, 10V）的出色结合，这得益于先进的MDmesh V技术，有效优化了单位面积的导通性能。

其规格参数针对高效功率转换进行了深度优化。器件在壳温条件下可支持84A的连续漏极电流，最大结温达150°C，功率处理能力强劲。同时，204nC的栅极电荷（Qg @ 10V）有助于降低开关损耗，提升系统在高频工作下的效率。这些特性使其成为工业级电源、逆变器和电机驱动等应用中，追求高可靠性与高功率密度设计的优选功率开关解决方案。

• 型号:STW88N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 84A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):84A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29 毫欧 @ 42A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:204 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8825 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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