STS9D8NH3LL

STS9D8NH3LL是ST意法半导体推出的一款采用8-SOIC封装的表面贴装型双N沟道功率MOSFET阵列，隶属于高性能STripFET产品系列。该器件集成了两个逻辑电平门控的MOSFET通道，每个通道具备30V的漏源电压（V_DSS）和高达8A/9A的连续漏极电流（I_D）处理能力。

其核心优势在于优异的开关性能与导通效率。极低的栅极阈值电压（V_GS(th) ≤ 1V）确保其可直接由低压微控制器驱动。同时，在10V栅源电压下，其导通电阻（R_DS(on)）典型值仅为22毫欧，结合较低的栅极电荷（Q_g）和输入电容（C_iss），共同实现了快速开关与低导通损耗，最大结温为150°C。这些特性使其成为空间紧凑型高效功率转换与电机驱动应用的理想选择。

• 型号:STS9D8NH3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A/9A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A，9A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:857pF @ 25V
• 功率 - 最大值:2W
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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