L6399D技术参数详情：
L6399D是ST意法半导体生产的一款有源、半桥配置的栅极驱动器集成电路，采用8-SOIC表面贴装封装。该器件设计用于驱动IGBT和N沟道MOSFET，其高压侧通道支持高达600V的自举电压，并集成了自举二极管，简化了高压侧供电设计。
其核心优势在于强大的驱动能力和快速的开关性能，提供高达430mA（拉出）和290mA（灌入）的峰值输出电流，以及典型值为75ns（上升）和35ns（下降）的开关时间，能有效降低开关损耗。器件工作电压范围宽（10V至20V），逻辑输入兼容低电压，并具备-40°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在工业级应用中的高可靠性和鲁棒性。
- 型号:L6399D
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:10V ~ 20V
- 逻辑电压- VIL，VIH:1.1V，1.9V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，430mA
- 输入类型:反相，非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
- 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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