STS9NF3LL

STS9NF3LL是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件采用表面贴装型8-SO封装，核心设计旨在为低压、大电流开关应用提供高效的功率处理方案。

其关键电气参数定义了出色的性能表现：30V的漏源电压（Vdss）与9A的连续漏极电流（Id）能力，确保了在主流低压系统中的可靠运行。尤为突出的是，在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为19毫欧，配合最大17nC的低栅极电荷（Qg），共同实现了低导通损耗与快速开关特性的理想平衡，有效提升了电源转换与电机驱动等应用的效率。

• 型号:STS9NF3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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