STSJ100NH3LL

STSJ100NH3LL是ST意法半导体推出的一款采用STripFET III技术的N沟道功率MOSFET，封装形式为8-SOIC-EP。该器件核心优势在于其卓越的电流处理能力与极低的功率损耗，其连续漏极电流（Id）在壳温条件下高达100A，而漏源电压（Vdss）为30V。

其关键技术参数包括极低的导通电阻（典型值3.5毫欧 @ 10V）和优化的栅极电荷（最大值40nC @ 4.5V），这共同确保了在高频开关应用中具备高效率与低发热的特性。器件设计支持高达150°C的结温工作，并采用带裸露焊盘的封装以增强散热性能，适用于要求高功率密度和可靠性的电源转换与电机控制场景。

• 型号:STSJ100NH3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC-EP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4450 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta），70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC-EP
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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