STSJ50NH3LL技术参数详情：
STSJ50NH3LL是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-SOIC封装和STripFET技术。该器件核心优势在于其30V的漏源电压（Vdss）和高达50A的连续漏极电流处理能力，配合极低的导通电阻（典型值10.5毫欧 @ 10V），能显著降低导通损耗，提升系统效率。
其开关特性同样出色，较低的栅极电荷（最大12nC）和适中的输入电容有助于实现快速开关，减少开关损耗，适用于高频应用。器件支持宽范围工作温度（-55°C ~ 150°C），并具备良好的功率耗散能力，确保了在各种环境下的稳定性和可靠性，是紧凑型高功率密度设计的理想选择。
- 型号:STSJ50NH3LL
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 50A 8SOIC
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:965 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:3W（Ta），50W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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