STSJ60NH3LL

STSJ60NH3LL是ST意法半导体推出的一款采用STripFET技术的N沟道功率MOSFET，封装为8-SOIC-EP。该器件核心优势在于其优异的电气特性平衡，在30V的漏源电压下支持高达60A的连续漏极电流，同时实现了极低的导通电阻（典型值5.7mΩ @ 10V V_GS），有效降低了导通损耗。

其低栅极电荷（最大24nC @ 4.5V）和低栅极阈值电压确保了快速的开关切换和与标准逻辑电平的兼容性，简化了驱动设计。结合其裸露焊盘封装带来的良好散热能力（最大功耗50W @ T_C）以及-55°C至150°C的宽工作结温范围，使其成为要求高效率和高可靠性的紧凑型功率电路的理想选择。

• 型号:STSJ60NH3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC-EP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 60A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.7 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1810 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC-EP
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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