STT3PF20V技术参数详情：
STT3PF20V是ST意法半导体推出的一款P沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件采用SOT-23-6表面贴装封装，在20V的漏源电压下可提供2.2A的连续电流处理能力。
其核心电气特性表现为优异的开关性能与低功耗。在4.5V驱动电压下，导通电阻低至200毫欧（@1A），有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极阈值电压（最大600mV）和栅极电荷（最大4.7nC）使其能够兼容低电压逻辑信号，实现快速、高效的开关控制，非常适合用于空间受限的便携式电子设备的电源管理电路。
- 型号:STT3PF20V
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:SOT-23-6
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-6
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.2A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.7V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:200 毫欧 @ 1A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:600mV @ 250A（最小）
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.7 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±12V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:315 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:1.6W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-23-6
- 封装/外壳:SOT-23-6
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