STT4PF20V

STT4PF20V是ST意法半导体推出的一款采用SOT-23-6封装的P沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件设计用于20V、3A的中低功率应用场景，其核心优势在于极低的导通电阻与栅极电荷。

在V_GS=4.5V条件下，其最大导通电阻（R_DS(on)）仅为110mΩ（@1.5A），配合最大7.8nC的栅极电荷（Q_G），有效降低了导通与开关损耗，提升了系统效率。其低至600mV的栅极阈值电压（V_GS(th)）使其能直接由3.3V/5V逻辑电平驱动，简化了电路设计。紧凑的封装形式使其成为空间敏感型应用的理想选择。

• 型号:STT4PF20V
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.7V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 1.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:600mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:500 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6
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