STT5PF20V技术参数详情：
STT5PF20V是ST意法半导体推出的一款P沟道功率MOSFET，采用SOT-23-6表面贴装封装，属于其高性能的STripFET II产品系列。该器件设计用于在20V的漏源电压和最高5A的连续漏极电流条件下工作，核心优势在于其极低的导通电阻（典型值80毫欧 @ 4.5V, 2.5A）和极低的栅极电荷（最大值4.5nC @ 2.5V）。
这些参数共同确保了器件在导通状态下的功率损耗最小化，同时实现了快速的开关速度和较低的驱动需求，特别适合由低电压逻辑信号直接驱动的应用。其紧凑的封装形式使其成为空间受限PCB设计的理想选择，广泛应用于需要高效电源切换、负载管理和功率分配的便携式电子设备、电源模块及电池保护电路中。
- 型号:STT5PF20V
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:SOT-23-6
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 20V 5A SOT23-6
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 2.5A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:450mV @ 250A（最小）
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.5 nC @ 2.5 V
- Vgs（最大值）:±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:412 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:1.6W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-23-6
- 封装/外壳:SOT-23-6
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