STP100N10F7

STP100N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用先进STripFET VII技术的产品系列。该器件核心优势在于其100V的漏源电压和高达80A的连续漏极电流处理能力，同时实现了极低的导通电阻（最大8毫欧 @ 40A, 10V），这显著降低了导通状态下的功率损耗。

此外，其优化的动态特性，如较低的栅极电荷（最大61nC）和坚固的±20V栅源电压耐受能力，确保了快速、高效的开关性能，并增强了驱动电路的鲁棒性。器件采用TO-220通孔封装，支持高达150W的功率耗散，工作结温范围宽达-55°C至175°C，适用于高可靠性要求的工业与汽车功率电子应用。

• 型号:STP100N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 100V 80A TO-220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:61 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4369 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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