STTH8R02DDJFY-TR技术参数详情：
STTH8R02DDJFY-TR是意法半导体推出的一款双通道快速恢复整流二极管阵列，采用节省空间的PowerFLAT 8x8表面贴装封装。每个独立二极管具备200V的最大反向耐压和4A的平均整流电流能力，其核心优势在于30纳秒的快速反向恢复时间，能显著降低高频开关应用中的开关损耗和噪声。
该器件在8A电流下的正向压降仅为1.22V，且在200V反向电压下的泄漏电流低至3A，确保了高效率的功率处理。宽泛的结温工作范围（-40°C至175°C）使其能够适应严苛的工业环境。这些特性使其成为开关电源、PFC电路和电机驱动等应用中实现紧凑、高效设计的优选元件。
- 型号:STTH8R02DDJFY-TR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
- 描述:DIODE ARRAY GP 200V 4A POWERFLAT
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 二极管配置:2 个独立式
- 技术:标准
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:200 V
- 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:4A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.22 V @ 8 A
- 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr):30 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 A @ 200 V
- 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
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