STP8NK80ZFP

STP8NK80ZFP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心优势在于结合了800V的高漏源电压（Vdss）与低至1.5欧姆的导通电阻（Rds(on)），这使其在高压应用中能有效降低导通损耗，提升能效。

其电气参数设计兼顾性能与易用性，在壳温下连续漏极电流可达6.2A，栅极阈值电压典型值适于标准驱动，且最大栅源电压耐受范围达±30V。采用TO-220FP全塑封隔离封装，便于散热器安装并增强绝缘安全性。这些特性使其成为开关电源、功率因数校正、工业电源等高压开关应用的可靠选择。

• 型号:STP8NK80ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6.2A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 3.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1320 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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