STU10NM60N技术参数详情：
STU10NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心优势在于优异的导通特性与开关性能的平衡。
它提供了600V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id）处理能力，确保了在高压大电流环境下的稳定工作。关键参数方面，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为550毫欧（@10V， 4A），同时栅极电荷（Qg）最大值被控制在19nC，这共同实现了低传导损耗与快速的开关速度，有助于提升整体电源系统的效率与功率密度。器件采用I-PAK通孔封装，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求高可靠性的工业与消费类功率电子设计。
- 型号:STU10NM60N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-251（IPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:540 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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