STU12N65M5技术参数详情：
STU12N65M5是ST意法半导体MDmesh V系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用通孔I-PAK封装。该器件核心优势在于其650V的漏源电压（Vdss）和8.5A的连续漏极电流（Id）能力，为高压开关应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于实现了优异的效率平衡：低至430mΩ的导通电阻（Rds(on)）有效降低了导通损耗，而最大仅22nC的栅极电荷（Qg）则显著提升了开关速度并减少了驱动损耗。这些特性使其特别适用于对效率和开关性能有较高要求的功率转换领域。
- 型号:STU12N65M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-251（IPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 8.5A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:430 毫欧 @ 4.3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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