STP11NK50Z

STP11NK50Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心特性在于其500V的高漏源耐压（V_DSS）与10A的连续电流（I_D）能力，为高压功率开关应用提供了坚实的电气基础。

其技术优势体现在优异的导通特性上，在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至520毫欧，有助于显著降低通态损耗。同时，优化的动态参数，如最大68nC的栅极电荷（Qg），确保了快速的开关响应，有利于提升系统效率和工作频率。器件支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，热性能稳定，适用于要求严苛的工业与消费电子环境。

• 型号:STP11NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 10A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:520 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1390 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP11NK50Z，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。