STU150N3LLH6技术参数详情：
STU150N3LLH6是ST意法半导体基于STripFET VI和DeepGATE技术开发的N沟道MOSFET。该器件采用I-PAK通孔封装，核心优势在于其高电流承载与低损耗特性，其连续漏极电流（Id）在壳温25°C时可达80A，而导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs和40A Id条件下最大仅为3.3毫欧。
其电气参数针对高效开关应用进行了优化，包括较低的栅极阈值电压（Vgs(th) ≤ 2.5V）和适中的栅极电荷（Qg ≤ 40nC @ 4.5V），这有助于实现快速切换并降低驱动损耗。器件支持高达30V的漏源电压（Vdss），最大结温为175°C，适用于要求严苛的电源转换和电机控制场景。
- 型号:STU150N3LLH6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-251（IPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.3 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4040 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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