STU25N10F7技术参数详情：
STU25N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F7产品系列。该器件采用I-PAK通孔封装，核心电气参数为100V漏源电压（Vdss）和25A连续漏极电流（Id），展现出强大的功率处理能力。
其技术亮点在于优化的开关特性，能够在4.5V至10V的栅极驱动电压下实现较低的导通电阻，这有助于显著降低功率转换系统中的传导损耗。该MOSFET适用于要求高效率和可靠性的开关电源及功率控制电路，是工业与能源应用的经典选择之一。
- 制造商产品型号：STU25N10F7
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 100V 25A IPAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：STripFET F7
- 零件状态：不用於新
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：100V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：25A
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：-
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：-
- 工作温度：-
- 安装类型：通孔
- 器件封装：I-PAK
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