STP22N60DM6

STP22N60DM6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其600V的高漏源电压（Vdss）与低至240毫欧（@10V，7.5A）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，为高压功率开关应用提供了低传导损耗的解决方案。

其电气参数经过精心优化，在25°C壳温下连续漏极电流（Id）达15A，最大功率耗散能力为130W。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值20.6nC）有助于实现快速开关并简化栅极驱动设计，从而提升系统效率与功率密度。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和能源转换系统中追求高效率与高可靠性的理想选择。

• 型号:STP22N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 15A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:240 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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