STU2N105K5

STU2N105K5是意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh K5产品系列。该器件采用先进的超结技术，提供了1050V的漏源击穿电压（Vdss）和1.5A（Tc）的连续漏极电流能力，专为要求高耐压和高效能的开关应用而设计。

其关键电气参数经过优化，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）典型值低至8欧姆（@750mA），同时栅极总电荷（Qg）最大值仅为10nC。这种低Rds(On)与低Qg的优异组合，能够显著降低导通损耗和开关损耗，提升系统整体效率。器件采用IPAK（TO-251）通孔封装，支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在工业级应用环境下的高可靠性。

• 型号:STU2N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 1.5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 750mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:115 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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