STU3N65M6技术参数详情：
STU3N65M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh M6产品系列。该器件采用通孔I-PAK封装，核心额定参数为650V漏源电压（VDSS）和3.5A连续漏极电流（ID），专为高耐压、高效率的功率转换应用而设计。
其技术亮点在于实现了优异的开关性能与导通特性的平衡。在10V驱动电压下，其最大导通电阻（RDS(on)）仅为1.5Ω，同时最大栅极电荷（Qg）低至6nC，这共同确保了较低的导通损耗和开关损耗，有助于提升系统整体能效。宽泛的结温工作范围（-55°C ~ 150°C）和45W的功率耗散能力，进一步保障了其在各种环境下的可靠性与鲁棒性。
- 制造商产品型号：STU3N65M6
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 650V 3.5A IPAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：MDmesh M6
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：650V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.5A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.5 欧姆 @ 1.75A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.75V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：6nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±25V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：150pF @ 100V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：45W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：I-PAK
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